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與現(xiàn)在廣泛使用的硅材料相比高精度分流器，據(jù)了解。輝鉬具有兩個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)：一是達(dá)到同等效用的體積更小。只有0.65納米厚的輝鉬材料，電子在其中能像在2納米厚的硅材料中那樣自如移動(dòng)，同時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)還無法將硅資料制作得跟輝鉬材料一樣薄；高精度分流器二是能耗更低。據(jù)估計(jì)，輝鉬制成的晶體管在待機(jī)狀態(tài)下消耗的能量只是體管的約十萬分之一。

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單層的輝鉬材料顯示出良好的半導(dǎo)體特性，有些性能逾越現(xiàn)在廣泛使用的硅，可望成為下一代半導(dǎo)體資料。

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